AT650/850T 臺式熱原子層沉積設(shè)備

AT650/850T 臺式熱原子層沉積設(shè)備，具備現(xiàn)場升級為等離子體模式的能力，占地面積小（38.1 厘米，寬 15 英寸），可容納直徑為 6 英寸或更小的樣品。

特征

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• · 占地面積小（38.1 厘米;寬 15 英寸，深 15 英寸）臺式熱敏 ALD

• · 可容納直徑為 6 英寸的樣品，并帶有可選的可定制卡盤。

• · 可在現(xiàn)場升級為等離子體。

• · 暖壁鋁室，帶 40 – 400°C 的加熱樣品架

• · 3 種有機金屬前驅(qū)體可加熱至 185°C，另外一種在標準條件下*

• · 多達 4 個氧化劑/還原劑源，每個氧化劑/還原劑源均具有超快 MFC（2 個標準）

• · 高溫兼容快速脈沖 ALD 閥，帶有超快 MFC，用于
  · 集成惰性氣體吹掃

• · 靜態(tài)處理模式下可獲得高曝光

• * 可升級至 4 個，全部加熱至 185°C。

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規(guī)格

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• · 基板溫度從室溫到 400 °C ± 1 °C（500 °C 可選）;前驅(qū)體溫度從 RT 到 180 °C ± 2°C（帶加熱夾套）

• · 占地面積小（15 英寸 x 15 英寸），臺式安裝，兼容潔凈室

• · 系統(tǒng)維護簡單，公用事業(yè)成本低。

• · 流線型腔室設(shè)計和小腔室容積

• · 快速循環(huán)能力和高曝光，可進行深度滲透處理

• · 完整的硬件和軟件聯(lián)鎖，即使在多用戶環(huán)境中也能安全運行。

選項

• · 等離子升級

• · 定制卡盤/壓板

• · ATOzone – 臭氧發(fā)生器（某些薄膜需要：Pt、Ir、SiO₂、MoO₂、60°C 以下的高質(zhì)量 Al₂O₃、高質(zhì)量 HfO₂）

• · QCM（石英晶體微量天平）

• · 額外的反反應(yīng)物管線（MFC 控制）——最多 2 個額外的

• · 可選第 4 加熱前驅(qū)體 （185°C）

• · 外部控制 – PC/軟件鏈接（允許遠程編程和運行）

• · 高于標準壓力狀態(tài)

• · 定制系統(tǒng)

設(shè)施

• 有關(guān)詳細說明，請參閱我們的演示和視頻說明：“AT650T 安裝和啟動 "

• · N₂ 吹掃氣體應(yīng)為 >99.9995%，帶有截止閥（調(diào)節(jié)至 10 – 30 psi，金屬密封）。

• 輸入線是 1/4 母頭 VCR 壓縮接頭

• 通過 1/4 英寸金屬線將 99.9995% 氮氣 （UHP） 吹掃氣體>背面的 1/4 英寸壓縮接頭連接起來

• · 通過 90/110 英寸聚乙烯管或金屬線將 1-4 psi CDA（清潔干燥空氣）連接到另一個標有 CDA（清潔干燥空氣）的 1/4 英寸壓縮接頭

• · 最小 19.5cfm 濕泵（**需要 PTFE 真空流體（如 Fomblin））（干泵是可選的）

• NW40 （1.5“） 連接和排氣管（帶 5cfm > 的抽吸）

• 大于 1 米應(yīng)使用 NW50 排氣管路

• · 前體通過內(nèi)螺紋 VCR 彎頭連接（始終使用新墊圈）。

• 彎頭：1/4“ 墊圈先（戴手套）

• 有關(guān)前驅(qū)體的連接，請參閱“AT650T 安裝和啟動"

軟件

有關(guān)詳細說明，請參閱我們的演示和視頻說明：“AT650T 安裝和啟動 "

• · 帶 10 英寸觸摸屏的人機界面 （HMI） PLC 系統(tǒng)

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  面板

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• · 適用于標準 ALD 循環(huán)沉積的高級控制，如納米層壓板、摻雜薄膜和三元薄膜

• · 用于高質(zhì)量、經(jīng)過測試的工藝的配方數(shù)據(jù)庫

• · 自定義配方輸入屏幕

• · 實時顯示工藝狀態(tài)

• · 可單獨編程的加熱源溫度

• · 用于三元化合物和納米層壓板的內(nèi)置脈沖序列

• · 快速運行，簡單的問題讓用戶開始

• 輸入子周期和總周期