濕法刻蝕系統(tǒng)提供了可控的化學(xué)試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進(jìn)一步加強(qiáng)。SWC和LSC具備對(duì)點(diǎn)試劑滴膠系統(tǒng)，可以較大程度節(jié)省化學(xué)試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學(xué)試劑混合能力，提供了可控的化學(xué)試劑在整個(gè)基片上的分布。濕法刻蝕系統(tǒng)提供高可重復(fù)性、高均勻性及先進(jìn)的兆聲清洗、兆聲輔助下光刻膠剝離，以及濕法刻蝕系統(tǒng)。該系統(tǒng)為全自動(dòng)機(jī)械手上下載片，可以在一個(gè)工藝步驟中包含了的無(wú)損兆聲清洗、化學(xué)試劑清洗、刷子清洗以及干燥功能。
　　濕法刻蝕系統(tǒng)是一種常用的化學(xué)清洗方法，主要目的是為了將掩膜圖形正確復(fù)制到涂膠硅片上，進(jìn)而達(dá)到保護(hù)硅片特殊區(qū)域的目的。從半導(dǎo)體制造行業(yè)開(kāi)始初期，硅片制造和濕法刻蝕系統(tǒng)就緊密聯(lián)系到了一起。當(dāng)前濕法刻蝕系統(tǒng)主要用于殘留物去除、漂去氧化硅、大尺寸圖形刻蝕等方面，具有設(shè)備簡(jiǎn)單、材料選擇比高，對(duì)器件損傷小等優(yōu)點(diǎn)。
　　濕法刻蝕系統(tǒng)具有溫度低、效率高、成本低等優(yōu)點(diǎn)，在濕刻過(guò)程中，硅片的磷硅玻璃和金屬離子被有效去除，并能一次性完成鈍化和清洗去除雜質(zhì)，從而提高了硅片的使用效率。
　　濕法刻蝕系統(tǒng)是通過(guò)化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來(lái)的刻蝕方法。大多數(shù)濕法刻蝕系統(tǒng)是不容易控制的各向同性刻蝕。
　　特點(diǎn)：適應(yīng)性強(qiáng)，表面均勻性好、對(duì)硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。
　　缺點(diǎn)：圖形刻蝕保真想過(guò)不理想，刻蝕圖形的至小線難以掌控。
　　濕法刻蝕系統(tǒng)是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是中學(xué)化學(xué)課中化學(xué)溶液腐蝕的概念，它是一種純化學(xué)刻蝕，具有優(yōu)良的選擇性，刻蝕完當(dāng)前薄膜就會(huì)停止，而不會(huì)損壞下面一層其他材料的薄膜。由于所有的半導(dǎo)體濕法刻蝕系統(tǒng)都具有各向同性，所以無(wú)論是氧化層還是金屬層的刻蝕，橫向刻蝕的寬度都接近于垂直刻蝕的深度。這樣一來(lái)，上層光刻膠的圖案與下層材料上被刻蝕出的圖案就會(huì)存在一定的偏差，也就無(wú)法高質(zhì)量地完成圖形轉(zhuǎn)移和復(fù)制的工作，因此隨著特征尺寸的減小，在圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程中基本不再使用。